Jsputter8000磁控溅射镀膜机

Jsputter8000 Magnetron Sputtering System

型  号（Model）: Jsputter 8000

生产商（Manufacturer): ULVAC Technologies, Inc., Japan

用  途（Application）:
纳米级的单层及多层功能膜-各种硬质膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等的研发。 Intended for the R&D of new materials, MRAM, magnetic sensor devices, pilot production of discrete devices for electrode, and ferro magnetic film.

主要参数（Main Parameters):
本底真空(Ultimate Pressure): < 2.66×10-6Pa
沉积室尺寸(Deposition Chamber) : W450×D410×H450m
基片尺寸(Substrate Size): F2~8 inch
基片旋转速度(Rotating Speed)：0~20 rpm(Motor driven)
沉积功率(Cathode Power):  DC power supply  500W×3sets
RF power supply  200W×2sets
基片温度（Substrate Heating): Max.800±20
厚度均匀性(Thickness Uniformity): <±3%(F80mm)
沉积速率(Deposition Rate): >3.0 nm/min(Ni films) ，>2.0 nm/min(ZnO films)

负 责 人（Person in Charge）:
汪金芝, ( Dr. Jinzhi WANG ) , Tel：86685163
刘志敏, (Mr. Zhimin LIU), Tel：86685163

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JGP450型高真空溅射系统

型号（Model）：JGP450

生产商（Manufacturer）：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司

用途（Applications）：用于氧化物以及金属薄膜的制备（To fabricate oxide and metal thin films）

主要参数（Main Parameters）：
极限真空度（Ultimate pressure）：6×10-6 Pa
最高加热温度（Substrate temperature）：～800 °C

负责人（Responsible persons）：
诸葛飞（Dr. Fei Zhuge）Tel：86685019

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PLD-300型脉冲激光溅射沉积系统

型号（Model）：PLD300

生产商（Manufacturer）：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司

用途（Applications）：用于氧化物薄膜的制备（To fabricate oxide thin films）

主要参数（Main Parameters）：
极限真空度（Ultimate pressure）：6×10-5 Pa
最高加热温度（Substrate temperature）：～800 °C

负责人（Responsible persons）：
陈斌（Dr. Bin Chen）Tel：86685019

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探针台-半导体参数测量仪

Probe Station-Semiconductor Characterization Systems

型  号（Model）: PM5+Keithley 4200 SCS

生产商（Manufacturer): SUSS+Keithley

用  途（Applicatio）: 用于半导体参数及器件特性测试(To measure the parameters of semiconductors and devices)

主要参数（Main Parameters):
I-V measurement: 0.1fA~100mA; 1mV~200V; 4 SMU unit
C-V measurement: 20Hz ~2MHz
Hall effect measurement
High resistant measurement: >100MΩ

负 责 人（Person in Charge:
汪金芝 (Dr. Jingzhi WANG)   Tel: 86685163
黄金华 (Mr. Jinhua HUANG)  Tel: 86685130

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MUE-ECO电子束蒸发镀膜系统

MUE-ECO Electron-beam Evaporation System

型  号（Model）: MUE-ECO

生产商（Manufacturer): 日本ULVAC公司(ULVAC Technologies, Inc., Japan)

用  途（Applicatio）:
纳米量级的金属薄膜及部分介质薄膜的制备。
Preparation of metallic and some dielectric films in thickness of nanometers.

主要参数（Main Parameters):
本底真空(Ultimate Pressure):  5×10-6 Pa
衬底加热温度(Substrate Temperature): RT~350℃
厚度不均匀度(Nonuniformity of Film Thickness): ≤±5% (Φ80mm, Al)

负 责 人（Person in Charge:
诸葛飞, ( Dr. Fei ZHUGE), Tel：86685019
刘宜伟，（Mr. Yiwei LIU）Tel：86685030

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紫外光刻机

Mask Aligner

型  号（Model）: ABM/6/350/NUV/DCCD/M

生产商（Manufacturer): ABM Inc.

用  途（Applicatio）:
用于将涂有光刻胶的晶片与掩膜的对准，然后曝光，将掩膜的图形转移到晶片的光刻胶上。
Used for aligning masks on wafers with photo-resist.

主要参数（Main Parameters):
Source：350W NUV Hg lamp，365nm，400nm，436nm
Uniform Beam Size：6''diamater area
Beam Uniformity：±1-2% over 2''diamater area
                              ±2-3% over 4''diamater area
±3-5% over 6''diamater area
Mask Size：3'' and 5''
Wafer Size：2'' and 4''
Exposure Mode:  Soft contact
                            Hard contact
                            Vacuum contact
                            Proximity gap
Best resolution:  0.6 micrometer
Exposure Time: 0.1-999.9 adjustable

负 责 人（Person in Charge:
杨晔（Dr. Ye YANG） Tel: 86685162
李佳（Dr. Jia LI）    Tel: 86685163

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快　速　退　火　炉

Rapid Thermal Processing (RTP)

型  号（Model）: RTP500V

生产商（Manufacturer): 北京东之星物理研究所

用  途（Applicatio）:
离子注入后快速退火；欧姆接触快速合金；硅化物合金退火；氧化物生长；其它快速热处理工艺。
Rapid Thermal Anneal (RTA), Rapid Thermal Oxidation (RTO), Rapid Thermal Nitridation (RTN), Rapid Thermal Diffusion (RTD), Silicides and Contact formation

主要参数（Main Parameters):
温度范围（Temperature Range）：150~1300℃
最大升温速率（Maximum Rate）：200℃/s
样品最大尺寸（Maximum Sample Size）：4 inch
气氛（Atmosphere）：Vacuum（0.1Pa）、H2、N2、Ar、O2

负 责 人（Person in Charge:
杨晔, ( Dr. Ye YANG ) , Tel：86685162
黄金华,(Dr. Jinhua HUANG), Tel: 86685130

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冷 等 静 压 机

Cold Isostatic Press (CIP)

型  号（Model）: LDJ100/320-300I

生产商（Manufacturer): 四川航空工业川西机器有限责任公司

用  途（Applicatio）:
粉末制品的成型，零件烧结前的成型和热等静压前的毛坯预成型。具有致密度高、密度分布均匀，各向同性好等特点，可压制尺寸大、细长比大、形状复杂的制品，可广泛应用于各类硬质合金、耐火材料、磁性材料、陶瓷、石墨、有色金属及高比重合金的粉末制品。

主要参数（Main Parameters):
功率（Power）：~2.2kW
最高工作压力（Maximum Pressure）：300MPa
升压时间（Time to Maximum Pressure）：≤3min
工作缸有效尺寸（Chamber Size）：Φ100×320mm

负 责 人（Person in Charge:
杨晔, ( Dr. Ye YANG ) , Tel：86685162
段雷，（Mr. Lei DUAN）,Tel: 86685163

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四探针表面电阻测量仪

Pro4 Resistivity System

型  号（Model）: Pro4-4000

生产商（Manufacturer): Lucas-Signatone

用  途（Applicatio）:
用于半导体晶片或薄膜的电阻率和表面电阻的测试。

主要参数（Main Parameters):
表面电阻测量范围（Sheet Resistance Measurement Range）：1.0×10-3~1.2×106Ω/□

负 责 人（Person in Charge:
黄金华 （Jinhua HUANG） Tel：86685130

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光谱型椭偏仪

Spectroscopic ellipsometer

型  号（Model）: M-2000DI

生产商（Manufacturer): J.A.Woollam Co.,Inc.

用  途（Applicatio）:
单层或多层薄膜的厚度和光学常数的测定.
Used for measuring the thickness and optical constants of transparent or semi-transparent single film or multilayer.

主要参数（Main Parameters):
波长范围（Wavelength Range）：190~1700 nm
光谱分辨率（Resolution）：1.6 nm（Wavelength<1000 nm）；3.7 nm（Wavelength>1000 nm）
自动入射角范围（Incidence Angle Range）：45~900
自动样品台（Stage Size）：150 mm*150 mm

负 责 人（Person in Charge:
施媛媛 （Yuanyuan SHI）, Tel：86685130
刘志敏 （Zhimin LIU），Tel：86685163

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RS6000-ER电流变测试系统

Haake RheoStress 6000 + ER System

型  号（Model）: HAAKE RheoStress 6000

生产商（Manufacturer): 德国赛默飞世尔科技有限公司(Thermo Scientific)

用  途（Applicatio）:

• 旋转方式测量流动曲线(粘度随剪切速率或应力变化)、粘度-温度曲线、粘度-时间曲线、触变性;
• 蠕变和剪切应力扫描来测量屈服应力;
• 用时间和温度扫描来跟踪物理或化学变化;
• 由动态振荡试验, 蠕变/恢复测试弹性
• 法向力测量
• 漏电流

主要参数（Main Parameters):

• 最小扭矩Min. torque rotation：0.1µN.m
• 最大扭矩Max. torque：200mN.m
• 扭矩分辨率Torque resolution：0.5nN.m
• 马达惯性Motor inertia：10μN.m.s
• 位移解析度Angular resolution：12nrad
• 速度切换间隔：7ms
• 应变切换间隔：30ms
• 最大电场Max. Voltage： 10,000 V
• 最大剪切应力Max. stress： 125,000 Pa （20mm geometries）
• 温度范围Temp. range： -20 ~ 150 °C
• 最大漏电电流Max. current leakage：2 mA

附件（measuring geometries）:

• Z10、Z20同心圆筒 (Cylinder Ø 10, Ø 120 mm)
• 8mm、15mm、35mm电流变用平行板(Plate Ø 8, Ø 15, Ø 35, mm)

负 责 人（Person in Charge）: 郭建军, ( Dr. Jianjun Guo), Tel：86685162
刘雪辉, (Mr. Xuehui LIU), Tel：86685130

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