磁电阻效应是指在外磁场作用下材料的电阻发生变化的现象，包括正常磁电阻（OMR）、巨磁电阻（GMR）、遂穿磁电阻（TMR）、庞磁电阻（CMR）、弹道磁电阻（BMR）、弹道各向异性磁电阻(BAMR)、遂穿各向异性磁电阻（TAMR）以及锰氧化物中的超大各向异性磁电阻效应(CAMR)。多铁性材料是集铁电性、铁磁性和铁弹性于一身的新型多功能材料。由于各种“铁性”之间存在耦合作用，多铁性材料展示了一些独特的物理效应，比如，通过铁电性与铁磁性之间的耦合作用，可以利用电场控制磁性，利用磁场控制铁电性。磁电阻效应、多铁性材料在磁传感器领域具有广泛的应用前景。该研究方向主要研究新型磁电阻材料、多铁性材料及其复合材料，设计并制备灵敏度高，集成度高的新型微纳磁性传感元件。

2000年美国休斯顿大学在金属/钙钛矿锰氧化物PrCaMnO/金属三明治结构中发现，在两金属电极间施加电脉冲可以使体系电阻在高低阻值 间来回快速切换。随后，人们发现在NiO、ZnO、SiO2、CuO、ZrO2、TiO2等多种二元氧化物中也存在类似的电阻转变效应。基于此电致电阻效应，人们提出了一种新型非易失性存储器概念——电阻型随机存储器（RRAM）。和其它存储器相比，RRAM具有制备简单、擦写速度快、存储密度高、与半导体工艺兼容性好等主要优势。目前我们的主要研究工作 集中在电阻型随机存储材料探索、机理研究、以及器件结构。