题 目：基于阻变材料的下一代非易失存储器
报告人：刘明 研究员
时 间：9月 9日上午9：30
地 点: A515
摘 要：
电阻转变存储技术（Resistive Switching Memory, RRAM）是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器。RRAM具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力，成为目前新型存储器的一个重要研究方向。将介绍我们基于二元氧化物开展的研究工作。
报告人简历：
刘明，女，博士，研究员，博士生导师，中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室主任，从事集成电路工艺、纳米加工、新型存储器和纳米电子器件等领域的研究工作，2008年获得国家杰出青年基金的资助， 2004年获国务院政府津贴，获得国家发明二等奖二次，获得北京市科技进步一等奖三次及北京市科技进步二等奖一次。
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